BSS169H6327XTSA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSS169H6327XTSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSS169H6327XTSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.8V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

6 Ohm @ 170mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

360mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

BSS169 H6327
BSS169 H6327-ND
BSS169 H6327TR
BSS169 H6327TR-ND
BSS169H6327XTSA1TR
SP000702572
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

68pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.8nC @ 7V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

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BSS159NL6906HTSA1

Descripción: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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