International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP149L6327HTSA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSP149L6327HTSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSP149L6327HTSA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 400µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-SOT223-4
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

BSP149 L6327
BSP149 L6327-ND
BSP149L6327HTSA1TR
BSP149L6327INTR
BSP149L6327INTR-ND
BSP149L6327XT
SP000089214
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

660mA (Ta)

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BSP149 E6327

Descripción: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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