International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO612CVGHUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSO612CVGHUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSO612CVGHUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 20µA
Paquete del dispositivo

PG-DSO-8
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

BSO612CV G
BSO612CV G-ND
BSO612CVGHUMA1TR
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINTR-ND
BSO612CVGT
BSO612CVGXT
BSO612CVT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVXTINTR-ND
SP000216307
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15.5nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2A
Número de pieza base

BSO612

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BSO4822T

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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