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International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO083N03MSGXUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSO083N03MSGXUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSO083N03MSGXUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-DSO-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

8.3 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.56W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

BSO083N03MS G
BSO083N03MS G-ND
BSO083N03MS GINTR
BSO083N03MS GINTR-ND
BSO083N03MSG
BSO083N03MSGXUMA1TR
SP000446064
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2100pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 11A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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