International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC200P03LSGAUMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC200P03LSGAUMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC200P03LSGAUMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 100µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 63W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC200P03LS G
BSC200P03LS G-ND
BSC200P03LS GINTR
BSC200P03LS GINTR-ND
BSC200P03LSGAUMA1TR
SP000359668
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2430pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

48.5nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.9A (Ta), 12.5A (Tc)

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BSC150N03LDGATMA1

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSC200P03LSGAUMA1

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