International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC119N03S G

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Especificaciones

Número de pieza

BSC119N03S G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC119N03S G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

11.9 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 43W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC119N03S G-ND
BSC119N03SGINTR
BSC119N03SGXT
SP000016416
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 11.9A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.9A (Ta), 30A (Tc)

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BSC117N08NS5ATMA1

Descripción: MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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