International Rectifier (Infineon Technologies)

BSB053N03LP G

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Especificaciones

Número de pieza

BSB053N03LP G
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSB053N03LP G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

5.3 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta), 42W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-WDSON
Otros nombres

BSB053N03LP G-ND
BSB053N03LPG
SP000597830
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 71A (Tc)

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Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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