BAS16E6327HTSA1

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Especificaciones

Número de pieza

BAS16E6327HTSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BAS16E6327HTSA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.25V @ 150mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

80V
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

BAS 16 E6327
BAS16E6327
BAS16E6327BTSA1
BAS16E6327HTSA1TR
BAS16E6327XT
BAS16INTR
BAS16INTR-ND
BAS16XTINTR
BAS16XTINTR-ND
SP000010203
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 75V
Corriente - rectificada media (Io)

250mA (DC)
Capacitancia Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz
Número de pieza base

BAS16

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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BAS16HT1

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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