International Rectifier (Infineon Technologies)

AUIRFN8458TR

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Especificaciones

Número de pieza

AUIRFN8458TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AUIRFN8458TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 25µA
Paquete del dispositivo

PQFN (5x6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 26A, 10V
Potencia - Max

34W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

SP001522712
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 43A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

43A (Tc)

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Descripción: MOSFET N CH 55V 95A SUPER-220

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