International Rectifier (Infineon Technologies)

AUIRF7669L2TR

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Especificaciones

Número de pieza

AUIRF7669L2TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AUIRF7669L2TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DIRECTFET L8
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.4 mOhm @ 68A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.3W (Ta), 100W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DirectFET™ Isometric L8
Otros nombres

AUIRF7669L2TR-ND
AUIRF7669L2TRTR
SP001519182
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5660pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

120nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 19A (Ta), 114A (Tc) 3.3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 114A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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