IXRFSM12N100

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Especificaciones

Número de pieza

IXRFSM12N100
Fabricante / Marca

IXYS RF
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

16-SMPD
Serie

SMPD
RDS (Max) @Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 15V
La disipación de energía (máximo)

940W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2875pF @ 800V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

77nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

15V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 12A (Tc) 940W Surface Mount 16-SMPD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXRFSM12N100".

IXRFSM18N50

Descripción: 18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE

Fabricantes: IXYS RF

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