IXFT12N100F

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Especificaciones

Número de pieza

IXFT12N100F
Fabricante / Marca

IXYS RF
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFT12N100F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-268 (IXFT)
Serie

HiPerRF™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

77nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXFT12N100F".

IXFR90N30

Descripción: MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247

Fabricantes: IXYS Corporation

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