IXFN66N85X

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Especificaciones

Número de pieza

IXFN66N85X
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFN66N85X.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 33A, 10V
La disipación de energía (máximo)

830W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

230nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

850V
Descripción detallada

N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IXFN66N85X".

IXFN80N48

Descripción: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Fabricantes: IXYS Corporation

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