ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32400B-7BI

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Especificaciones

Número de pieza

IS42S32400B-7BI
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.IS42S32400B-7BI.pdf
2.IS42S32400B-7BI.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

90-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

128Mb (4M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

143MHz
Tiempo de acceso

5.4ns

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IS42S32400B-7TI

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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