ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42RM32800E-6BLI-TR

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Especificaciones

Número de pieza

IS42RM32800E-6BLI-TR
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS42RM32800E-6BLI-TR.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.3 V ~ 3 V
Tecnología

SDRAM - Mobile
Paquete del dispositivo

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

90-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Mb (8M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5.5ns

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IS42RM32400H-75BLI-TR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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