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1666910Imagen IDT71256L35Y8IDT (Integrated Device Technology)

IDT71256L35Y8

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IDT71256L35Y8
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    35ns
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    28-SOJ
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Otros nombres
    71256L35Y8
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Kb (32K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 35ns 28-SOJ
  • Número de pieza base
    IDT71256
  • Tiempo de acceso
    35ns
IS49NLS18320-33B

IS49NLS18320-33B

Descripción: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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