71V35761SA200BGG

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Existencias disponibles

168+

$8.965

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Especificaciones

Número de pieza

71V35761SA200BGG
Fabricante / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.71V35761SA200BGG.pdf
2.71V35761SA200BGG.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

3.135 V ~ 3.465 V
Tecnología

SRAM - Synchronous
Paquete del dispositivo

119-PBGA (14x22)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

119-BGA
Otros nombres

IDT71V35761SA200BGG
IDT71V35761SA200BGG-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

4.5Mb (128K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22)
Frecuencia de reloj

200MHz
Número de pieza base

IDT71V35761
Tiempo de acceso

3.1ns

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71V35761SA200BGI8

Descripción: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

Fabricantes: IDT (Integrated Device Technology)

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