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186000Imagen 6116LA90DBIDT (Integrated Device Technology)

6116LA90DB

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Especificaciones
  • Número de pieza
    6116LA90DB
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    90ns
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    24-CDIP
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    24-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • Otros nombres
    6116LA90DB-ND
    800-3669
    IDT6116LA90DB
    IDT6116LA90DB-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    16Kb (2K x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 90ns 24-CDIP
  • Número de pieza base
    IDT6116
  • Tiempo de acceso
    90ns
MSMCGLCE17A

MSMCGLCE17A

Descripción: TVS DIODE 17V 27.6V DO215AB

Fabricantes: Microsemi
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