SI8712CC-B-IS

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Especificaciones

Número de pieza

SI8712CC-B-IS
Fabricante / Marca

Energy Micro (Silicon Labs)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8712CC-B-IS.pdf
Modelo ECAD
Suministro de voltaje

3 V ~ 30 V
Voltaje - Aislamiento

3750Vrms
Tipo

General Purpose
Tecnología

Capacitive Coupling
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

15ns, 5ns
Ancho de pulso Distorsión (máx.)

20ns
Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max)

60ns, 60ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

336-2380
SI8712CCBIS
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Poder aislado

No
Entradas - Side 1 / Cara 2

1/0
Descripción detallada

General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 1 Channel 1Mbps 20kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Velocidad de datos

1Mbps
Inmunidad transitoria en modo común (Min)

20kV/µs
Corriente de carga

Unidirectional

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Forma de pago

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08/02/2025

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SI8712BC-B-IS

Descripción: DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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