SUD06N10-225L-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SUD06N10-225L-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SUD06N10-225L-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta), 20W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

Q5396740VS
SUD06N10-225L-E3-ND
SUD06N10-225L-E3TR
SUD06N10225LE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 6.5A (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Tc)

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SUD15N15-95-E3

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