ZXMP10A18K

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMP10A18K
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMP10A18K.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

150 mOhm @ 2.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.17W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

ZXMP10A18KCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1055pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

26.9nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 3.8A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A (Ta)

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