ZXMN2F34MATA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXMN2F34MATA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ZXMN2F34MATA.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DFN322
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.35W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-VDFN
Otros nombres

ZXMN2F34MATR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

277pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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ZXMN3A02N8TC

Descripción: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

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