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1766165Imagen ZXMC3F31DN8TADiodes Incorporated

ZXMC3F31DN8TA

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ZXMC3F31DN8TA
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ZXMC3F31DN8TA.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    24 mOhm @ 7A, 10V
  • Potencia - Max
    1.8W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    ZXMC3F31DN8TADI
    ZXMC3F31DN8TADI-ND
    ZXMC3F31DN8TADITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    26 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    608pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    12.9nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica de FET
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6.8A, 4.9A

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