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ZTX855

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ZTX855
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    150V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    260mV @ 400mA, 4A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.2W
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Otros nombres
    ZTX855DI
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    90MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 4A 90MHz 1.2W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    50nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    4A
FCR2WSJT-52-15K

FCR2WSJT-52-15K

Descripción: RES 2W 5% AXIAL

Fabricantes: Yageo
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