Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN3010LFG-7
RFQs/Orden (0)
español
2335350Imagen DMN3010LFG-7Diodes Incorporated

DMN3010LFG-7

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1+
$0.285
10+
$0.278
30+
$0.272
100+
$0.268
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN3010LFG-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN3010LFG-7.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8.5 mOhm @ 18A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    900mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerWDFN
  • Otros nombres
    DMN3010LFG-7DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2075pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    37nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 11A (Ta), 30A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta), 30A (Tc)

SK Hynix supera a Samsung por primera vez, superando el mer...

05/06/2025

World Environment Day： Futuretech’s Real-World Actions To...

05/06/2025

WSTS: Se espera que el tamaño del mercado global de semico...

04/06/2025

AI-Driven Future: Semiconductor and Electronic Component In...

03/06/2025

Renesas Electronics abandona el plan de producción de chip...

30/05/2025

Ireland’s “Silicon Island” Plan: Strengthening Europe’s...

30/05/2025

AMD adquiere Silicon Photonics Chip Company Enoemi, fortale...

29/05/2025

La startup de chip de IA Edgecortix recibe 3 mil millones d...

28/05/2025

Wolfspeed planea bancarrota, Renesas enfrenta un riesgo de ...

27/05/2025

Institución: Los precios de Flash de NAND esperados aument...

26/05/2025

NVIDIA to Build Giant AI Supercomputer in Taiwan

26/05/2025

Foxconn invierte $ 1.5 mil millones para expandir su fábri...

24/05/2025
Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.
Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.
Los siguientes son productos relacionados con "DMN3010LFG-7".
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Descripción: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Descripción: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Descripción: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Descripción: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Descripción: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Descripción: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Descripción: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ

Review (1)

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosNoticiasMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.