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BS107PSTZ

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BS107PSTZ
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BS107PSTZ.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    30 Ohm @ 100mA, 5V
  • La disipación de energía (máximo)
    500mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    E-Line-3
  • Otros nombres
    BS107PSTZ-ND
    BS107PSTZDITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    85pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    2.6V, 5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 200V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    120mA (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "BS107PSTZ".
BS1016E

BS1016E

Descripción: MARKINGPLATE15MMPITCH

Fabricantes: Altech Corporation
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RFQ
BS107P

BS107P

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
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BS12I-MC

BS12I-MC

Descripción: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Fabricantes: MPD (Memory Protection Devices)
Existencias disponibles
RFQ
BS120E0F

BS120E0F

Descripción: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
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BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Descripción: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Fabricantes: MPD (Memory Protection Devices)
Existencias disponibles
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BS108/01,126

BS108/01,126

Descripción: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
RFQ
BS108G

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
BS107ARL1

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
BS107AG

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
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BS1016EM1-12

BS1016EM1-12

Descripción: MARKINGPLATE15MMPITCH MARKED 1 -

Fabricantes: Altech Corporation
Existencias disponibles
RFQ
BS12I-22

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Descripción: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Fabricantes: MPD (Memory Protection Devices)
Existencias disponibles
RFQ
BS120

BS120

Descripción: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Fabricantes: Sharp Microelectronics
Existencias disponibles
RFQ
BS108,126

BS108,126

Descripción: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
RFQ
BS12I

BS12I

Descripción: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Fabricantes: MPD (Memory Protection Devices)
Existencias disponibles
RFQ
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
BS108ZL1G

BS108ZL1G

Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
BS1016EM13-24

BS1016EM13-24

Descripción: MARKINGPLATE15MMPITCH MARKED 13

Fabricantes: Altech Corporation
Existencias disponibles
RFQ
BS107G

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Descripción: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ

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