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IM02STR10K

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IM02STR10K
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IM-2 .1 10% RJ4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tipo
    Molded
  • Tolerancia
    ±10%
  • Paquete del dispositivo
    Axial
  • Tamaño / Medidas
    0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
  • blindaje
    Unshielded
  • Serie
    IM
  • calificaciones
    -
  • Q según frecuencia
    40 @ 25MHz
  • embalaje
    -
  • Paquete / Cubierta
    Axial
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 125°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Material - Núcleo
    Phenolic
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia de Inductancia - Prueba
    25MHz
  • Inductancia
    100nH
  • Altura - Asiento (Máx)
    -
  • Frequency - Self Resonant
    680MHz
  • Caracteristicas
    -
  • Descripción detallada
    100nH Unshielded Molded Inductor 1.35A 80 mOhm Max Axial
  • Resistencia de CC (DCR)
    80 mOhm Max
  • Valoración actual
    1.35A
  • Corriente - Saturación
    -
MRF7S21110HSR3

MRF7S21110HSR3

Descripción: FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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