CDBJFSC3650-G

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Especificaciones

Número de pieza

CDBJFSC3650-G
Fabricante / Marca

Comchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CDBJFSC3650-G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.7V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

650V
Paquete del dispositivo

TO-220F
Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

0ns
Paquete / Cubierta

TO-220-2 Full Pack
Otros nombres

641-1935
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky
Descripción detallada

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 3A (DC) Through Hole TO-220F
Corriente - Fuga inversa a Vr

100µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io)

3A (DC)
Capacitancia Vr, F

190pF @ 0V, 1MHz

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CDBJFSC10650-G

Descripción: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricantes: Comchip Technology

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