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6203953Imagen DRA124-6R8-RBussmann (Eaton)

DRA124-6R8-R

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DRA124-6R8-R
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    FIXED IND 6.8UH 4.46A 21 MOHM
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tipo
    Wirewound
  • Tolerancia
    ±20%
  • Paquete del dispositivo
    -
  • Tamaño / Medidas
    0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm)
  • blindaje
    Shielded
  • Serie
    DRA
  • calificaciones
    AEC-Q200
  • Q según frecuencia
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    Nonstandard
  • Otros nombres
    283-3564-2
    DRA124-6R8-R-ND
    DRA1246R8R
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 165°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Material - Núcleo
    -
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia de Inductancia - Prueba
    100kHz
  • Inductancia
    6.8µH
  • Altura - Asiento (Máx)
    0.177" (4.50mm)
  • Frequency - Self Resonant
    -
  • Descripción detallada
    6.8µH Shielded Wirewound Inductor 4.46A 21 mOhm Nonstandard
  • Resistencia de CC (DCR)
    21 mOhm
  • Valoración actual
    4.46A
  • Corriente - Saturación
    7.33A
SP8K1TB

SP8K1TB

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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