AO5401E

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Especificaciones

Número de pieza

AO5401E
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AO5401E.pdf
2.AO5401E.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-89-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

800 mOhm @ 500mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

280mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

785-1557-6
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 500mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "AO5401E".

IRFL014PBF

Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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AO5401E

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