AO4812L_101

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Especificaciones

Número de pieza

AO4812L_101
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 6A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AO4812L_101.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.3nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 2W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A

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Descripción: MOSFET P-CH DUAL 30V 8SOIC

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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