ALD212900APAL

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Especificaciones

Número de pieza

ALD212900APAL
Fabricante / Marca

Advanced Linear Devices, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ALD212900APAL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

10mV @ 20µA
Paquete del dispositivo

8-PDIP
Serie

EPAD®, Zero Threshold™
RDS (Max) @Id, Vgs

14 Ohm
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres

1014-1215
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

10.6V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

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ALD212620DNUR

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