ALD1108EPCL

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Especificaciones

Número de pieza

ALD1108EPCL
Fabricante / Marca

Advanced Linear Devices, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ALD1108EPCL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.01V @ 1µA
Paquete del dispositivo

16-PDIP
Serie

EPAD®
RDS (Max) @Id, Vgs

500 Ohm @ 5V
Potencia - Max

600mW
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

16-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

10V
Descripción detallada

Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10V 600mW Through Hole 16-PDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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ALD110900SAL

Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Fabricantes: Advanced Linear Devices, Inc.

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