ALD1101BPAL

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Especificaciones

Número de pieza

ALD1101BPAL
Fabricante / Marca

Advanced Linear Devices, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

ALD1101BPAL.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 10µA
Paquete del dispositivo

8-PDIP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

75 Ohm @ 5V
Potencia - Max

500mW
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

10.6V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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ALD1101APAL

Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Fabricantes: Advanced Linear Devices, Inc.

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