IRFD014PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFD014PBF
Fabricante / Marca

Adafruit
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRFD014PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

4-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres

*IRFD014PBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.7A (Ta)

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IRFD113PBF

Descripción: MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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