IRF610PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF610PBF
Fabricante / Marca

Adafruit
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IRF610PBF.pdf
2.IRF610PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

36W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRF610PBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

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IRF6100PBF

Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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