SI9936DY

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Especificaciones

Número de pieza

SI9936DY
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI9936DY.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 5A, 10V
Potencia - Max

900mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

35nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "SI9936DY".

SI9934BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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