RFD10P03LSM

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Especificaciones

Número de pieza

RFD10P03LSM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

RFD10P03LSM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 10A, 5V
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 10A (Tc) Surface Mount TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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RFD12N06RLESM9A

Descripción:

Fabricantes: ON Semiconductor

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