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PCP1302-TD-H

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Especificaciones

Número de pieza

PCP1302-TD-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 3A SOT89
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PCP1302-TD-H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-89/PCP-1
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

266 mOhm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.5W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Otros nombres

PCP1302-TD-HOSCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

262pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 3A (Ta) 3.5W (Tc) Surface Mount SOT-89/PCP-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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PCP1203-TD-H

Descripción: TRANS NPN 30V 1.5A PCP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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