NVMFS5C468NWFT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMFS5C468NWFT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

40V 12 MOHM T6 S08FL SING
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NVMFS5C468NWFT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.5W (Ta), 28W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

44 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 35A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVMFS5C604NLAFT1G

Descripción: T6 60V HEFET

Fabricantes: ON Semiconductor

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