NVMFD5C478NLT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMFD5C478NLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NVMFD5C478NLT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 20µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

14.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Potencia - Max

3.1W (Ta), 23W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

NVMFD5C478NLT1G-ND
NVMFD5C478NLT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.1nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 10.5A (Ta), 29A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Ta), 29A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NVMFD5C478NLT1G".

NVMFD5C478NLWFT1G

Descripción: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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