NVMFD5875NLT3G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMFD5875NLT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVMFD5875NLT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

33 mOhm @ 7.5A, 10V
Potencia - Max

3.2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVMFD5877NLT3G

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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