NVATS5A108PLZT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NVATS5A108PLZT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CHANNEL 40V 77A ATPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVATS5A108PLZT4G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ATPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10.4 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)

72W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

50 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3850pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

79.5nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

P-Channel 40V 77A (Ta) 72W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

77A (Ta)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NVATS4A101PZT4G

Descripción: MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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