NTMFS6H818NT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS6H818NT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NTMFS6H818NT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 190µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3.7 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 136W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN, 5 Leads
Otros nombres

NTMFS6H818NT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Ta), 123A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTMFS6H818NT1G".

NTMFS5H600NLT3G

Descripción: MOSFET N-CH 60V 35A 250A 5DFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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