NTMFS10N7D2C

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Especificaciones

Número de pieza

NTMFS10N7D2C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

NTMFS10N7D2C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 150µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6), Power56
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

7.2 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Tc)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

39 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2635pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 78A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

78A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTMFS10N7D2C".

NTMFS08N003C

Descripción: PTNG 80/20V IN 5X6CLIP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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