NTJD4152PT1G

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Especificaciones

Número de pieza

NTJD4152PT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTJD4152PT1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Potencia - Max

272mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

NTJD4152PT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

48 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

880mA
Número de pieza base

NTJD4152P

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTJD4152PT1G".

NTJD4152PT1

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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