NTD60N03-001

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Especificaciones

Número de pieza

NTD60N03-001
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

NTD60N03-001.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

7.5 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

NTD60N03-001OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

28V
Descripción detallada

N-Channel 28V 60A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NTD60N02RT4

Descripción: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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