NSDEMP11XV6T1G

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Especificaciones

Número de pieza

NSDEMP11XV6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NSDEMP11XV6T1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

80V
Paquete del dispositivo

SOT-563
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

NSDEMP11XV6T1GOSCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

2 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 2 Pair Common Anode Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount SOT-563, SOT-666
Corriente - Fuga inversa a Vr

100nA @ 70V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100mA (DC)
Número de pieza base

MP11

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NSDEMP11XV6T1G".

NSDEMN11XV6T5

Descripción: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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