NRVUB1620CTT4G

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Especificaciones

Número de pieza

NRVUB1620CTT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NRVUB1620CTT4G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

975mV @ 8A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

D2PAK-3
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Tiempo de recuperación inversa (trr)

35ns
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

NRVUB1620CTT4GOSCT
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 8A Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

8A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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NRVUA110VT3G

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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