NJL4281DG

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Especificaciones

Número de pieza

NJL4281DG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 350V 15A TO264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NJL4281DG.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 800mA, 8A
Tipo de transistor

NPN + Diode (Isolated)
Paquete del dispositivo

TO-264
Serie

-
Potencia - Max

230W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-264-5
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

35MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 350V 15A 35MHz 230W Through Hole TO-264
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

15A

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Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

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Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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